在計算機領域，存儲器的速度始終是一個關鍵的問題。當前，NVMe (Non-Volatile Memory Express) 硬盤被廣泛地應用于高速存儲中。由于NVMe硬盤的接口速度相當快，因此它有助于實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)讀取和寫入。在Linux中，使用多個NVMe硬盤可以有效地提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。本文將介紹如何在Linux系統(tǒng)中有效地使用多個NVMe硬盤。

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1. 創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)

我們需要創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)。我們可以使用fdisk或其他工具來創(chuàng)建分區(qū)。然后，我們需要使用mkfs命令來創(chuàng)建文件系統(tǒng)。我們將使用xfs文件系統(tǒng)作為例子。在創(chuàng)建文件系統(tǒng)時，我們需要為每個NVMe硬盤創(chuàng)建一個單獨的文件系統(tǒng)。以下是創(chuàng)建文件系統(tǒng)的命令：

sudo mkfs.xfs /dev/nvme0n1p1

sudo mkfs.xfs /dev/nvme1n1p1

sudo mkfs.xfs /dev/nvme2n1p1

sudo mkfs.xfs /dev/nvme3n1p1

此命令將創(chuàng)建4個xfs文件系統(tǒng)，分別掛載在/dev/nvme0n1p1，/dev/nvme1n1p1，/dev/nvme2n1p1和/dev/nvme3n1p1目錄下。您也可以選擇其他文件系統(tǒng)，例如ext4或Btrfs。

2. 創(chuàng)建Rd陣列

接下來，我們可以使用Mdadm命令來創(chuàng)建一個Rd陣列。在這種情況下，我們將創(chuàng)建一個RD 0陣列，該陣列旨在提高讀取和寫入數(shù)據(jù)的速度。以下是創(chuàng)建RD陣列的步驟：

sudo mdadm –create /dev/md0 –level=0 –rd-devices=4 /dev/nvme0n1p1 /dev/nvme1n1p1 /dev/nvme2n1p1 /dev/nvme3n1p1

sudo mdadm –detl /dev/md0

此命令將創(chuàng)建一個名為/dev/md0的RD 0陣列，使用4個NVMe硬盤作為存儲設備。您可以使用“–detl”標志來查看RD陣列的詳細信息。

3. 掛載RD陣列

一旦創(chuàng)建了RD陣列，我們需要將其掛載。我們可以創(chuàng)建一個目錄，例如/rd，然后將陣列掛載在該目錄下。以下是掛載RD陣列的步驟：

sudo mkdir /rd

sudo mount /dev/md0 /rd

此命令將創(chuàng)建/rd目錄，并將RD陣列掛載在該目錄下。

4. 添加RD陣列到/etc/fstab

為了在系統(tǒng)啟動時自動掛載RD陣列，我們需要將其添加到/etc/fstab。以下是編輯/etc/fstab文件的命令：

sudo nano /etc/fstab

添加以下行到文件中：

/dev/md0 /rd xfs defaults 0 0

5. 使用RD盤

現(xiàn)在，我們已經(jīng)成功地創(chuàng)建并掛載了RD陣列，我們可以將數(shù)據(jù)寫入該陣列，并從陣列中讀取數(shù)據(jù)以提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。如果有多個NVMe硬盤可用，您可以使用相同的過程創(chuàng)建多個RD陣列，并將它們掛載在不同的目錄下，以便在不同的應用程序中使用它們。

在Linux中，使用多個NVMe硬盤是提高系統(tǒng)性能的一種方法。本文介紹了如何創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)、創(chuàng)建RD陣列、掛載RD陣列并將其添加到/etc/fstab。使用這些步驟，您可以有效地使用多個NVMe硬盤來提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。

相關問題拓展閱讀：

• Linux內(nèi)核dvfs之cpufreq配置

Linux內(nèi)核dvfs之cpufreq配置

本文基于 RockPi 4A 單板 Linux4.4 內(nèi)核介紹 OPP Table 。

內(nèi)核中將頻咐游率、電壓的相關配置放在 DTSI 文件中，這些配置信息組成的節(jié)點被稱為物簡遲 OPP Table（Operating Performance Points） 。

定義文件： arch/arm64/boot/dts/rockchip/rk3399-opp.dtsi ,內(nèi)容如下：

上面節(jié)點中的相關屬性含義如下：

1、 opp-shared ：表示 opp-table1 是小核的各 CPU 共用。

2、 rockchip,temp-hysteresis ：遲滯參數(shù)，防止頻繁進入高溫或低溫，單位：毫攝氏度。

3、 rockchip,low-temp ：低溫閾值。小于該值時，進入低溫，大于‘該值+遲滯參數(shù)’時，恢復常溫。

4、 rockchip,low-temp-min-volt ：低溫下更低電壓，單位：微伏。

5、 nvmem-cells ：從 eFUSE 中讀取相關信息值（小核漏電流）。

6、 rockchip,pvtm-voltage-sel ：min-pvtm（單位KHz）、max-pvtm（單位KHz）和 voltage-selector (用于匹配 opp 節(jié)點中 opp-microvolt-L* 屬性的序列號)。例：pvtm值為：0 ~使用 opp-microvolt-L0 ，~使用 opp-microvolt-L1

7、 rockchip,pvtm-freq ：時鐘頻率（KHz），在獲取 pvtm 的頻率前，先設置 CPU 頻率。

8、 rockchip,pvtm-volt ：電壓（微伏），在獲取 pvtm 的頻率前，先設置 CPU 電壓。

9、 rockchip,pvtm-ch ： PVTM 通道，格式

10、 rockchip,pvtm-sample-time ： PVTM 采樣時間，單位：毫秒。

11、 rockchip,pvtm-number ： PVTM 采樣個數(shù)。

12、 rockchip,pvtm-error ：允許采樣數(shù)據(jù)之間的誤差。

13、 rockchip,pvtm-ref-temp ：參考溫度。

14、 rockchip,pvtm-temp-prop ： PVTM 隨溫度變化的比例系數(shù)，格式。

15、 rockchip,thermal-zone ：獲取溫度的 thermal-zone 。

16、 opp-microvolt-L* ：電壓(微伏)，格式

17、 clock-latency-ns ：完成變頻需要的時間，單位：納秒。

在 RK3399 中，除了配置上述小核的 opp table 外，還設置了大核（ cluster1_opp ）、 gpu(gpu_opp_table) 等的相關值。查看命令如下：

注：

CPU PVTM(Process Voltage Temperature Monitor) 是一個位于 CPU 附近，能罩李反應出不同芯片之間性能差異的模塊，受工藝，電壓和溫度 的影響。

參考：

Documentation/devicetree/bindings/cpufreq/cpufreq-rockchip.txt

Documentation/devicetree/bindings/cpufreq/cpufreq-rockchip.txt

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